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利用Tsuprem4和Medici软件，研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数，如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响，得到了它们之间的关系......
利用工艺仿真软件Tsuprem4，针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准，并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的......
为了降低栅源寄生电容C_(gs),提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件;采用Tsuprem4软件对其进行仿真分析,重点研究了n......
基于Tsuprem4和Medici模拟软件，研究了LDD结构对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响。计算结果表明当栅氧层厚度tox=0．07μm时，碰撞......
多晶硅薄膜晶体管技术在液晶显示器制造中扮演着很重要的角色,它增进了同时将有源矩阵及周边电路整合在一起的能力。然而,多晶硅薄......
